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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > 2N7000RLRA
2N7000RLRA
Modelo do Produto:
2N7000RLRA
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
Status sem chumbo / Status RoHS:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade disponível:
15107 Pieces
Ficha de dados:
2N7000RLRA.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-92-3
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:5 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipação de energia (Max):350mW (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Outros nomes:2N7000RLRAOSTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:2N7000RLRA
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:60pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 60V 200mA (Ta) 350mW (Tc) Through Hole TO-92-3
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:200mA (Ta)
Email:[email protected]

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