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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > 2SA1587-BL,LF
2SA1587-BL,LF
2SA1587-BL,LF
Modelo do Produto:
2SA1587-BL,LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
TRANS PNP 120V 0.1A USM
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14009 Pieces
Ficha de dados:
2SA1587-BL,LF.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):120V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 1mA, 10mA
Tipo transistor:PNP
Embalagem do dispositivo fornecedor:USM
Série:-
Power - Max:100mW
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:SC-70, SOT-323
Outros nomes:2SA1587-BL(TE85LFDKR
2SA1587-BL(TE85LFDKR-ND
2SA1587-BLLF(BDKR
2SA1587-BLLF(BDKR-ND
2SA1587-BLLFDKR
Temperatura de operação:125°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:2SA1587-BL,LF
Frequência - Transição:100MHz
Descrição expandida:Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 100mA 100MHz 100mW Surface Mount USM
Descrição:TRANS PNP 120V 0.1A USM
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:350 @ 2mA, 6V
Atual - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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