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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > 2SA1708T-YMH-AN
2SA1708T-YMH-AN
Modelo do Produto:
2SA1708T-YMH-AN
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
TRANS BIPO NMP
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19806 Pieces
Ficha de dados:
2SA1708T-YMH-AN.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):100V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:400mV @ 40mA, 400mA
Tipo transistor:NPN, PNP
Embalagem do dispositivo fornecedor:3-NMP
Série:-
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms):-
Resistor - Base (R1) (Ohms):-
Power - Max:1W
Embalagem:Tape & Box (TB)
Caixa / Gabinete:SC-71
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:2SA1708T-YMH-AN
Frequência - Transição:120MHz
Descrição expandida:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN, PNP 100V 1A 120MHz 1W Through Hole 3-NMP
Descrição:TRANS BIPO NMP
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:140 @ 100mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):1A
Email:[email protected]

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