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2SA965-O(TE6,F,M)
- Modelo do Produto:
- 2SA965-O(TE6,F,M)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrição:
- TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 17937 Pieces
- Ficha de dados:
- 2SA965-O(TE6,F,M).pdf
Introdução
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Especificações
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 120V |
|---|---|
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 1V @ 50mA, 500mA |
| Tipo transistor: | PNP |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | LSTM |
| Série: | - |
| Power - Max: | 900mW |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Outros nomes: | 2SA965-O(TE6FM) 2SA965OTE6FM |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | 2SA965-O(TE6,F,M) |
| Frequência - Transição: | 120MHz |
| Descrição expandida: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM |
| Descrição: | TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 80 @ 100mA, 5V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 800mA |
| Email: | [email protected] |
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