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2SB1495,Q(J
- Modelo do Produto:
- 2SB1495,Q(J
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrição:
- TRANS PNP 3A 100V TO220-3
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 18713 Pieces
- Ficha de dados:
- 2SB1495,Q(J.pdf
Introdução
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Especificações
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 100V |
|---|---|
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 1.5V @ 1.5mA, 1.5A |
| Tipo transistor: | PNP |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-220NIS |
| Série: | - |
| Power - Max: | 2W |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | TO-220-3 Full Pack |
| Outros nomes: | 2SB1495Q(J 2SB1495QJ |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | 2SB1495,Q(J |
| Frequência - Transição: | - |
| Descrição expandida: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 3A 2W Through Hole TO-220NIS |
| Descrição: | TRANS PNP 3A 100V TO220-3 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 2000 @ 2A, 2V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 10µA (ICBO) |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 3A |
| Email: | [email protected] |
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