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2SB817C-1E
- Modelo do Produto:
- 2SB817C-1E
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- TRANS PNP 140V 12A
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 15223 Pieces
- Ficha de dados:
- 2SB817C-1E.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para 2SB817C-1E, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para 2SB817C-1E por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 140V |
|---|---|
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 2V @ 500mA, 5A |
| Tipo transistor: | PNP |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-3P-3L |
| Série: | - |
| Power - Max: | 120W |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Outros nomes: | 2SB817C-1E-ND 2SB817C-1EOS |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 2 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | 2SB817C-1E |
| Frequência - Transição: | 10MHz |
| Descrição expandida: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 140V 12A 10MHz 120W Through Hole TO-3P-3L |
| Descrição: | TRANS PNP 140V 12A |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 100 @ 1A, 5V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 100µA (ICBO) |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 12A |
| Email: | [email protected] |
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