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2SC3356-T1B-R24-A
- Modelo do Produto:
- 2SC3356-T1B-R24-A
- Fabricante:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Descrição:
- SAME AS NE85633 NPN SILICON AMPL
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 15595 Pieces
- Ficha de dados:
- 2SC3356-T1B-R24-A.pdf
Introdução
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Especificações
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 12V |
|---|---|
| Tipo transistor: | NPN |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | SOT-23 |
| Série: | - |
| Power - Max: | 200mW |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Fator de ruído (dB Typ @ f): | 1.1dB @ 1GHz |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | 2SC3356-T1B-R24-A |
| Ganho: | 11.5dB |
| Frequência - Transição: | 7GHz |
| Descrição expandida: | RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200mW Surface Mount SOT-23 |
| Descrição: | SAME AS NE85633 NPN SILICON AMPL |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 50 @ 20mA, 10V |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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