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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > 2SC3647S-TD-E
2SC3647S-TD-E
2SC3647S-TD-E
Modelo do Produto:
2SC3647S-TD-E
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
TRANS NPN 100V 2A SOT89-3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14665 Pieces
Ficha de dados:
2SC3647S-TD-E.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):100V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:400mV @ 100mA, 1A
Tipo transistor:NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor:PCP
Série:-
Power - Max:500mW
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:TO-243AA
Outros nomes:2SC3647S-TD-EOSDKR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:19 Weeks
Número de peça do fabricante:2SC3647S-TD-E
Frequência - Transição:120MHz
Descrição expandida:Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 2A 120MHz 500mW Surface Mount PCP
Descrição:TRANS NPN 100V 2A SOT89-3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:100 @ 100mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):2A
Email:[email protected]

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