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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > 2SC5201,T6MURAF(J
2SC5201,T6MURAF(J
Modelo do Produto:
2SC5201,T6MURAF(J
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
TRANS NPN 50MA 600V TO226-3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15635 Pieces
Ficha de dados:
2SC5201,T6MURAF(J.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):600V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:1V @ 500mA, 20mA
Tipo transistor:NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-92MOD
Série:-
Power - Max:900mW
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Outros nomes:2SC5201T6MURAF(J
2SC5201T6MURAFJ
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:2SC5201,T6MURAF(J
Frequência - Transição:-
Descrição expandida:Bipolar (BJT) Transistor NPN 600V 50mA 900mW Through Hole TO-92MOD
Descrição:TRANS NPN 50MA 600V TO226-3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:100 @ 20mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):1µA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):50mA
Email:[email protected]

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