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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > 2SC5706-P-E
2SC5706-P-E
2SC5706-P-E
Modelo do Produto:
2SC5706-P-E
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
TRANS NPN 100V 5A
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17542 Pieces
Ficha de dados:
2SC5706-P-E.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):100V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:240mV @ 100mA, 2A
Tipo transistor:NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor:TP
Série:-
Power - Max:800mW
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de operação:-
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:4 Weeks
Número de peça do fabricante:2SC5706-P-E
Frequência - Transição:400MHz
Descrição expandida:Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 5A 400MHz 800mW Through Hole TP
Descrição:TRANS NPN 100V 5A
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:200 @ 500mA, 2V
Atual - Collector Cutoff (Max):1µA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):5A
Email:[email protected]

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