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2SJ162-E
- Modelo do Produto:
- 2SJ162-E
- Fabricante:
- Renesas Electronics America
- Descrição:
- MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 18968 Pieces
- Ficha de dados:
- 2SJ162-E.pdf
Introdução
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Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | - |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-3P |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | - |
| Dissipação de energia (Max): | 100W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | 2SJ162-E |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 900pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | P-Channel 160V 7A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 160V |
| Descrição: | MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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