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2SJ668(TE16L1,NQ)
- Modelo do Produto:
- 2SJ668(TE16L1,NQ)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 16538 Pieces
- Ficha de dados:
- 2SJ668(TE16L1,NQ).pdf
Introdução
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Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | PW-MOLD |
| Série: | U-MOSIII |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 170 mOhm @ 2.5A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 20W (Tc) |
| Caixa / Gabinete: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Outros nomes: | 2SJ668(TE16L1NQ) |
| Temperatura de operação: | 150°C |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | 2SJ668(TE16L1,NQ) |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 700pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 15nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | P-Channel 60V 5A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount PW-MOLD |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 4V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 60V |
| Descrição: | MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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