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2SK2845(TE16L1,Q)
- Modelo do Produto:
- 2SK2845(TE16L1,Q)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET N-CH 900V 1A DP
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 14363 Pieces
- Ficha de dados:
- 1.2SK2845(TE16L1,Q).pdf2.2SK2845(TE16L1,Q).pdf
Introdução
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Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | DP |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 9 Ohm @ 500mA, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 40W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | 2SK2845(TE16L1,Q) |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 350pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 15nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 900V 1A (Ta) 40W (Tc) Surface Mount DP |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 900V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 900V 1A DP |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 1A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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