2SK2916(F)
2SK2916(F)
Modelo do Produto:
2SK2916(F)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 500V 14A TO-3PN
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17467 Pieces
Ficha de dados:
1.2SK2916(F).pdf2.2SK2916(F).pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-3P(N)IS
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:400 mOhm @ 7A, 10V
Dissipação de energia (Max):80W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:2SK2916(F)
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2600pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:58nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 500V 14A (Ta) 80W (Tc) Through Hole TO-3P(N)IS
Escorra a tensão de fonte (Vdss):500V
Descrição:MOSFET N-CH 500V 14A TO-3PN
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:14A (Ta)
Email:[email protected]

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