2SK3666-2-TB-E - ON Semiconductor - Transistores - blogosferas 2SK3666-2-TB-E

2SK3666-2-TB-E

Modelo do Produto:: 2SK3666-2-TB-E

Fabricante:: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Descrição:: JFET NCH 30V 200MW 3CP

Status sem chumbo / Status RoHS:: Sem chumbo / acordo com RoHS

Quantidade disponível:: 19195 Pieces

Ficha de dados:: 2SK3666-2-TB-E.pdf

inquérito

Introdução

BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para 2SK3666-2-TB-E, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para 2SK3666-2-TB-E por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.

Comprar 2SK3666-2-TB-E com BYCHPS

Compre com garantia

Especificações

Tensão - Cutoff (VGS off) @ Id:	180mV @ 1µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:	3-CP
Série:	-
Resistência - RDS (on):	200 Ohm
Power - Max:	200mW
Embalagem:	Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:	2SK3666-2-TB-E-ND 2SK3666-2-TB-EOSTR
Temperatura de operação:	150°C (TJ)
Tipo de montagem:	Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):	1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:	4 Weeks
Número de peça do fabricante:	2SK3666-2-TB-E
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:	4pF @ 10V
Tipo FET:	N-Channel
Descrição expandida:	JFET N-Channel 600µA @ 10V 200mW Surface Mount 3-CP
Escorra a tensão de fonte (Vdss):	30V
Descrição:	JFET NCH 30V 200MW 3CP
Consumo de corrente (Id) - Max:	10mA
Atual - Drenagem (Idss) @ Vds (Vgs = 0):	600µA @ 10V
Email:	[email protected]

Peças relacionadas para 2SK3666-2-TB-E

Modelo do Produto	Fabricantes	Descrição	Visão
2SK3666-4-TB-E	ON Semiconductor	JFET N-CH 30V 0.2W CP	inquérito
2N5545JTX01	Vishay Siliconix	JFET N-CH 50V TO-71	inquérito
2SK3666-3-TB-E	ON Semiconductor	JFET N-CH 10MA 200MW 3CP	inquérito
TF202THC-3-TL-H	ON Semiconductor	JFET N-CH 1MA 100MW VTFP	inquérito

Introdução

Especificações

Pedido de Orçamento Rápido

Latest Notícias