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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > 2SK4125-1E
2SK4125-1E
2SK4125-1E
Modelo do Produto:
2SK4125-1E
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 17A
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17041 Pieces
Ficha de dados:
2SK4125-1E.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:-
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-3P-3L
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:610 mOhm @ 7A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.5W (Ta), 170W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:2SK4125-1E
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1200pF @ 30V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:46nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 600V 17A (Ta) 2.5W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-3P-3L
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 600V 17A
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:17A (Ta)
Email:[email protected]

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