3135GN-170M
Modelo do Produto:
3135GN-170M
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
FETS RF GAN 150V 3.1-3.5GHZ 55QP
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19367 Pieces
Ficha de dados:
3135GN-170M.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - Teste:60V
Tensão - M:150V
Tipo transistor:2 N-Channel (Dual) Common Source
Embalagem do dispositivo fornecedor:55QP
Série:-
Potência:185W
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:55QP
Fator de ruído:-
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:3135GN-170M
Ganho:11.5dB ~ 11.8dB
Freqüência:3.1GHz ~ 3.5GHz
Descrição expandida:RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) Common Source 60V 500mA 3.1GHz ~ 3.5GHz 11.5dB ~ 11.8dB 185W 55QP
Descrição:FETS RF GAN 150V 3.1-3.5GHZ 55QP
Potência nominal:5mA
Atual - Teste:500mA
Email:[email protected]

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