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3SK263-5-TG-E
- Modelo do Produto:
- 3SK263-5-TG-E
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- FET RF 15V 200MHZ CP4
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 18625 Pieces
- Ficha de dados:
- 3SK263-5-TG-E.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para 3SK263-5-TG-E, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para 3SK263-5-TG-E por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - Teste: | 6V |
|---|---|
| Tensão - M: | 15V |
| Tipo transistor: | N-Channel Dual Gate |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 4-CP |
| Série: | - |
| Potência: | - |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | SC-82A, SOT-343 |
| Outros nomes: | 3SK263-5-TG-E-ND 3SK263-5-TG-EOSTR |
| Fator de ruído: | 2.2dB |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | 3SK263-5-TG-E |
| Ganho: | 21dB |
| Freqüência: | 200MHz |
| Descrição expandida: | RF Mosfet N-Channel Dual Gate 6V 10mA 200MHz 21dB 4-CP |
| Descrição: | FET RF 15V 200MHZ CP4 |
| Potência nominal: | 30mA |
| Atual - Teste: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
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