Comprar A2I25D025NR1 com BYCHPS
Compre com garantia
A2I25D025NR1
- Modelo do Produto:
- A2I25D025NR1
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrição:
- IC TRANS RF LDMOS
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 14251 Pieces
- Ficha de dados:
- 1.A2I25D025NR1.pdf2.A2I25D025NR1.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para A2I25D025NR1, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para A2I25D025NR1 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - Teste: | 28V |
|---|---|
| Tensão - M: | 65V |
| Tipo transistor: | LDMOS (Dual) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-270WB-17 |
| Série: | - |
| Potência: | 3.2W |
| Embalagem: | Original-Reel® |
| Caixa / Gabinete: | TO-270-17 Variant, Flat Leads |
| Outros nomes: | A2I25D025NR1DKR |
| Fator de ruído: | - |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 10 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | A2I25D025NR1 |
| Ganho: | 31.9dB |
| Freqüência: | 2.69GHz |
| Descrição expandida: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 59mA 2.69GHz 31.9dB 3.2W TO-270WB-17 |
| Descrição: | IC TRANS RF LDMOS |
| Potência nominal: | - |
| Atual - Teste: | 59mA |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para A2I25D025NR1
| Imagem | Modelo do Produto | Fabricantes | Descrição | Visão |
|---|---|---|---|---|
 |
PXAC243502FVV1XWSA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | inquérito |
 |
BF244A_J35Z | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 50MA TO92 | inquérito |
 |
A2I25D025GNR1 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | inquérito |
|
A2I25H060GNR1 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | inquérito |
 |
A2I25H060NR1 | NXP USA Inc. | IC RF LDMOS AMP | inquérito |
 |
MRFG35010NR5 | NXP USA Inc. | FET RF 15V 3.55GHZ | inquérito |
 |
BLL8H1214L-500U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A | inquérito |
|
BLF4G20LS-130,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B | inquérito |
 |
BLC6G27-100,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET 28V SOT895A | inquérito |
 |
BLA8G1011L-300U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A | inquérito |
 |
MRF6S19100NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.99GHZ TO272-4 | inquérito |
 |
ATF-58143-TR2G | Broadcom Limited | FET RF 5V 2GHZ SOT-343 | inquérito |
 |
BLF8G27LS-150GVJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C | inquérito |
 |
BLF6G27-45,135 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT608A | inquérito |
Latest Notícias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog