AOD11S60
AOD11S60
Modelo do Produto:
AOD11S60
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 11A TO252
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12030 Pieces
Ficha de dados:
1.AOD11S60.pdf2.AOD11S60.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4.1V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-252, (D-Pak)
Série:aMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:399 mOhm @ 3.8A, 10V
Dissipação de energia (Max):208W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:785-1264-2
AOD11S60L
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:AOD11S60
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:545pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 600V 11A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 600V 11A TO252
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

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