AOT20S60L
Modelo do Produto:
AOT20S60L
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 20A TO220
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19258 Pieces
Ficha de dados:
1.AOT20S60L.pdf2.AOT20S60L.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4.1V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220
Série:aMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:199 mOhm @ 10A, 10V
Dissipação de energia (Max):266W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Outros nomes:785-1251-5
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:AOT20S60L
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1038pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:19.8nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 600V 20A (Tc) 266W (Tc) Through Hole TO-220
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 600V 20A TO220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

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