AOT42S60L
Modelo do Produto:
AOT42S60L
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 39A TO220
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16035 Pieces
Ficha de dados:
1.AOT42S60L.pdf2.AOT42S60L.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3.8V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220
Série:aMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:99 mOhm @ 21A, 10V
Dissipação de energia (Max):417W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Outros nomes:AOT42S60L-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:AOT42S60L
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2154pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:40nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 600V 37A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-220
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 600V 39A TO220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:37A (Tc)
Email:[email protected]

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