AOTF3N100
AOTF3N100
Modelo do Produto:
AOTF3N100
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220F
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18204 Pieces
Ficha de dados:
1.AOTF3N100.pdf2.AOTF3N100.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220-3F
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:6 Ohm @ 1.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):38W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3 Full Pack
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:AOTF3N100
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:830pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 1000V (1kV) 2.8A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220-3F
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1000V (1kV)
Descrição:MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220F
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2.8A (Tc)
Email:[email protected]

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