AOWF12T60P
AOWF12T60P
Modelo do Produto:
AOWF12T60P
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 12A TO262F
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18524 Pieces
Ficha de dados:
1.AOWF12T60P.pdf2.AOWF12T60P.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-262F
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:520 mOhm @ 6A, 10V
Dissipação de energia (Max):28W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Outros nomes:785-1693-5
785-1693-5-ND
785-1702-5
AOWF12T60P-ND
AOWF12T60PL
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:AOWF12T60P
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2028pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:50nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 600V 12A (Tc) 28W (Tc) Through Hole TO-262F
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 600V 12A TO262F
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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