AOWF7S65
AOWF7S65
Modelo do Produto:
AOWF7S65
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 7A TO262F
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17025 Pieces
Ficha de dados:
1.AOWF7S65.pdf2.AOWF7S65.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Série:aMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:650 mOhm @ 3.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):25W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Outros nomes:AOWF7S65-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:AOWF7S65
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:434pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:9.2nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 650V 7A (Tc) 25W (Tc) Through Hole
Escorra a tensão de fonte (Vdss):650V
Descrição:MOSFET N-CH 650V 7A TO262F
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

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