APL1001J
APL1001J
Modelo do Produto:
APL1001J
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 18A SOT-227
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16764 Pieces
Ficha de dados:
1.APL1001J.pdf2.APL1001J.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 2.5mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:ISOTOP®
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:600 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipação de energia (Max):520W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:SOT-227-4, miniBLOC
Outros nomes:APL1001JMI
APL1001JMI-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:APL1001J
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7200pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 1000V (1kV) 18A 520W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1000V (1kV)
Descrição:MOSFET N-CH 1000V 18A SOT-227
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:18A
Email:[email protected]

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