APT17F80B
APT17F80B
Modelo do Produto:
APT17F80B
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 18A TO-247
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19038 Pieces
Ficha de dados:
1.APT17F80B.pdf2.APT17F80B.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-247 [B]
Série:POWER MOS 8™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:580 mOhm @ 9A, 10V
Dissipação de energia (Max):500W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:22 Weeks
Número de peça do fabricante:APT17F80B
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3757pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:122nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 800V 18A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Escorra a tensão de fonte (Vdss):800V
Descrição:MOSFET N-CH 800V 18A TO-247
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:18A (Tc)
Email:[email protected]

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