APT30N60KC6
Modelo do Produto:
APT30N60KC6
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 30A TO-220
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15031 Pieces
Ficha de dados:
APT30N60KC6.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 960µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220 [K]
Série:CoolMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:125 mOhm @ 14.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):219W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:APT30N60KC6
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2267pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:88nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 600V 30A (Tc) 219W (Tc) Through Hole TO-220 [K]
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 600V 30A TO-220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

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