APT56F60B2
APT56F60B2
Modelo do Produto:
APT56F60B2
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 60A TO-247
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15475 Pieces
Ficha de dados:
APT56F60B2.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:T-MAX™ [B2]
Série:POWER MOS 8™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:110 mOhm @ 28A, 10V
Dissipação de energia (Max):1040W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3 Variant
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:22 Weeks
Número de peça do fabricante:APT56F60B2
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:11300pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:280nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 600V 60A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 600V 60A TO-247
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

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