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APT80SM120J
- Modelo do Produto:
- APT80SM120J
- Fabricante:
- Microsemi
- Descrição:
- POWER MOSFET - SIC
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 15216 Pieces
- Ficha de dados:
- APT80SM120J.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para APT80SM120J, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para APT80SM120J por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | SOT-227 |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 55 mOhm @ 40A, 20V |
| Dissipação de energia (Max): | 273W (Tc) |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Chassis Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 22 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | APT80SM120J |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 235nC @ 20V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 1200V (1.2kV) 51A (Tc) 273W (Tc) Chassis Mount SOT-227 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Descrição: | POWER MOSFET - SIC |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 51A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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