APTC90H12T1G
Modelo do Produto:
APTC90H12T1G
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15737 Pieces
Ficha de dados:
APTC90H12T1G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 3mA
Embalagem do dispositivo fornecedor:SP1
Série:CoolMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:120 mOhm @ 26A, 10V
Power - Max:250W
Embalagem:Tray
Caixa / Gabinete:SP1
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:22 Weeks
Número de peça do fabricante:APTC90H12T1G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6800pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:270nC @ 10V
Tipo FET:4 N-Channel (H-Bridge)
Característica FET:Super Junction
Descrição expandida:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 900V 30A 250W Chassis Mount SP1
Escorra a tensão de fonte (Vdss):900V
Descrição:MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:30A
Email:[email protected]

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