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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - IGBTs - módulos > APTGFQ25H120T2G
APTGFQ25H120T2G
APTGFQ25H120T2G
Modelo do Produto:
APTGFQ25H120T2G
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
IGBT 1200V 40A 227W MODULE
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18755 Pieces
Ficha de dados:
1.APTGFQ25H120T2G.pdf2.APTGFQ25H120T2G.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):1200V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.1V @ 15V, 25A
Embalagem do dispositivo fornecedor:SP2
Série:-
Power - Max:227W
Caixa / Gabinete:SP2
Temperatura de operação:-
NTC Thermistor:Yes
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:APTGFQ25H120T2G
Capacitância de entrada (Cies) @ Vce:2.02nF @ 25V
Entrada:Standard
Tipo de IGBT:NPT and Fieldstop
Descrição expandida:IGBT Module NPT and Fieldstop Full Bridge 1200V 40A 227W Through Hole SP2
Descrição:IGBT 1200V 40A 227W MODULE
Atual - Collector Cutoff (Max):250µA
Atual - Collector (Ic) (Max):40A
Configuração:Full Bridge
Email:[email protected]

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