APTML100U60R020T1AG
APTML100U60R020T1AG
Modelo do Produto:
APTML100U60R020T1AG
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19341 Pieces
Ficha de dados:
1.APTML100U60R020T1AG.pdf2.APTML100U60R020T1AG.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 2.5mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SP1
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:720 mOhm @ 10A, 10V
Dissipação de energia (Max):520W (Tc)
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:SP1
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:22 Weeks
Número de peça do fabricante:APTML100U60R020T1AG
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6000pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 1000V (1kV) 20A 520W (Tc) Chassis Mount SP1
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1000V (1kV)
Descrição:MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:20A
Email:[email protected]

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