ATP216-TL-H
ATP216-TL-H
Modelo do Produto:
ATP216-TL-H
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 50V 35A ATPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15429 Pieces
Ficha de dados:
ATP216-TL-H.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:-
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:ATPAK
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:23 mOhm @ 18A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):40W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:ATPAK (2 leads+tab)
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:ATP216-TL-H
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2700pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 50V 35A (Ta) 40W (Tc) Surface Mount ATPAK
Escorra a tensão de fonte (Vdss):50V
Descrição:MOSFET N-CH 50V 35A ATPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:35A (Ta)
Email:[email protected]

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