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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > BCR553E6327HTSA1
BCR553E6327HTSA1
Modelo do Produto:
BCR553E6327HTSA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
TRANS PREBIAS PNP 300MW SOT23-3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12559 Pieces
Ficha de dados:
BCR553E6327HTSA1.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-SOT23-3
Série:-
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms):2.2k
Resistor - Base (R1) (Ohms):2.2k
Power - Max:330mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:BCR 553 E6327
BCR 553 E6327-ND
BCR553E6327XT
SP000010854
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:BCR553E6327HTSA1
Frequência - Transição:150MHz
Descrição expandida:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 150MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
Descrição:TRANS PREBIAS PNP 300MW SOT23-3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:40 @ 50mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):500mA
Email:[email protected]

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Imagem Modelo do Produto Fabricantes Descrição Visão
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