BD159G
BD159G
Modelo do Produto:
BD159G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
TRANS NPN 350V 0.5A TO-225
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15532 Pieces
Ficha de dados:
BD159G.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):350V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:-
Tipo transistor:NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-225AA
Série:-
Power - Max:20W
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:TO-225AA, TO-126-3
Outros nomes:BD159G-ND
BD159GOS
Temperatura de operação:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:2 Weeks
Número de peça do fabricante:BD159G
Frequência - Transição:-
Descrição expandida:Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 500mA 20W Through Hole TO-225AA
Descrição:TRANS NPN 350V 0.5A TO-225
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:30 @ 50mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max):100µA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):500mA
Email:[email protected]

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