BGB 540 E6327 - Infineon Technologies - Transistores - Bipolar (BJT) - RF BGB 540 E6327

BGB 540 E6327

Modelo do Produto:: BGB 540 E6327

Fabricante:: International Rectifier (Infineon Technologies)

Descrição:: TRANSISTOR RF ACT BIAS SOT-343

Status sem chumbo / Status RoHS:: Sem chumbo / acordo com RoHS

Quantidade disponível:: 12994 Pieces

Ficha de dados:: BGB 540 E6327.pdf

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):	3.5V
Tipo transistor:	NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor:	PG-SOT343-4
Série:	-
Power - Max:	120mW
Embalagem:	Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:	SC-82A, SOT-343
Outros nomes:	BGB540E6327XT SP000013194
Temperatura de operação:	150°C (TJ)
Fator de ruído (dB Typ @ f):	1.3dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Tipo de montagem:	Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):	1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:	BGB 540 E6327
Ganho:	16dB ~ 17.5dB
Frequência - Transição:	-
Descrição expandida:	RF Transistor NPN 3.5V 30mA 120mW Surface Mount PG-SOT343-4
Descrição:	TRANSISTOR RF ACT BIAS SOT-343
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:	-
Atual - Collector (Ic) (Max):	30mA
Email:	[email protected]

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Modelo do Produto	Fabricantes	Descrição	Visão
UTV200	Microsemi Corporation	TRANS RF BIPO 80W 4.5A 55JV2	inquérito
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AT-30511-TR2G	Broadcom Limited	TRANS NPN BIPO 5.5V 8MA SOT-143	inquérito
MS1512	Microsemi Corporation	TRANS BIPO NPN M122	inquérito
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