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BLA6G1011-200R,112
- Modelo do Produto:
- BLA6G1011-200R,112
- Fabricante:
- Ampleon
- Descrição:
- RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 19855 Pieces
- Ficha de dados:
- BLA6G1011-200R,112.pdf
Introdução
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Especificações
| Tensão - Teste: | 28V |
|---|---|
| Tensão - M: | 65V |
| Tipo transistor: | LDMOS |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | LDMOST |
| Série: | - |
| Potência: | 200W |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | SOT-502A |
| Outros nomes: | 568-7544 934063602112 BLA6G1011-200R,112-ND BLA6G1011200R112 |
| Fator de ruído: | - |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 13 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | BLA6G1011-200R,112 |
| Ganho: | 20dB |
| Freqüência: | 1.03GHz ~ 1.09GHz |
| Descrição expandida: | RF Mosfet LDMOS 28V 100mA 1.03GHz ~ 1.09GHz 20dB 200W LDMOST |
| Descrição: | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A |
| Potência nominal: | 49A |
| Atual - Teste: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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| Imagem | Modelo do Produto | Fabricantes | Descrição | Visão |
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A2G22S160-01SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | inquérito |
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BLA6G1011L-200RG,1 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502D | inquérito |
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BLA6G1011LS-200RG, | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502C | inquérito |
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PTFA082201EV4XWSA1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 894MHZ H-36260-2 | inquérito |
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BLF2425M7L140,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A | inquérito |
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