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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - RF > BLF6H10L-160,112
BLF6H10L-160,112
BLF6H10L-160,112
Modelo do Produto:
BLF6H10L-160,112
Fabricante:
Ampleon
Descrição:
RF FET LDMOS 104V 20DB SOT467C
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17163 Pieces
Ficha de dados:
BLF6H10L-160,112.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - Teste:50V
Tensão - M:104V
Tipo transistor:LDMOS
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT467C
Série:-
Potência:38W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:SOT467C
Outros nomes:934065657112
Fator de ruído:-
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:BLF6H10L-160,112
Ganho:20dB
Freqüência:952.5MHz ~ 957.5MHz
Descrição expandida:RF Mosfet LDMOS 50V 600mA 952.5MHz ~ 957.5MHz 20dB 38W SOT467C
Descrição:RF FET LDMOS 104V 20DB SOT467C
Potência nominal:-
Atual - Teste:600mA
Email:[email protected]

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Imagem Modelo do Produto Fabricantes Descrição Visão
BLF6H10LS-160,112 Image BLF6H10LS-160,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 104V 20DB SOT467B inquérito
MRF282SR1 NXP USA Inc. FET RF 65V 2GHZ NI-200S inquérito
ARF443 Image ARF443 Microsemi Corporation PWR MOSFET RF N-CH 300V TO-247AD inquérito
A2T21S160-12SR3 NXP USA Inc. IC TRANS RF LDMOS inquérito
BLF7G20L-200,112 Image BLF7G20L-200,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A inquérito
PD57006STR-E Image PD57006STR-E STMicroelectronics TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF inquérito
BLC8G27LS-100AVY Image BLC8G27LS-100AVY Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12751 inquérito
BLF6H10LS-160,118 Image BLF6H10LS-160,118 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 104V 20DB SOT467B inquérito
BF1212WR,115 Image BF1212WR,115 NXP USA Inc. MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R inquérito
MRFE6VP61K25HR6 Image MRFE6VP61K25HR6 NXP USA Inc. FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230 inquérito
PTAC260302FCV1R0XTMA1 Infineon Technologies IC AMP RF LDMOS H-37248H-4 inquérito
SD56150 Image SD56150 STMicroelectronics FET RF 65V 860MHZ M252 inquérito
AFT21H350W03SR6 NXP USA Inc. FET RF 2CH 65V 2.11GHZ NI1230S inquérito

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