BMS3003-1E
BMS3003-1E
Modelo do Produto:
BMS3003-1E
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 60V 78A
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14225 Pieces
Ficha de dados:
BMS3003-1E.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220F-3SG
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:6.5 mOhm @ 39A, 10V
Dissipação de energia (Max):2W (Ta), 40W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3 Full Pack
Outros nomes:BMS3003-1E-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:4 Weeks
Número de peça do fabricante:BMS3003-1E
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:13200pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:285nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 60V 78A (Ta) 2W (Ta), 40W (Tc) Through Hole TO-220F-3SG
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET P-CH 60V 78A
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:78A (Ta)
Email:[email protected]

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