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BS108/01,126
- Modelo do Produto:
- BS108/01,126
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrição:
- MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 18888 Pieces
- Ficha de dados:
- BS108/01,126.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para BS108/01,126, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para BS108/01,126 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.8V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-92-3 |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 5 Ohm @ 100mA, 2.8V |
| Dissipação de energia (Max): | 1W (Ta) |
| Embalagem: | Tape & Box (TB) |
| Caixa / Gabinete: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Outros nomes: | 934009850126 BS108/01 AMO BS108/01 AMO-ND |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | BS108/01,126 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 120pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 200V 300mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole TO-92-3 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 200V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 300mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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