BS170RLRMG
Modelo do Produto:
BS170RLRMG
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 0.5A TO-92
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16494 Pieces
Ficha de dados:
BS170RLRMG.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-92-3
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:5 Ohm @ 200mA, 10V
Dissipação de energia (Max):350mW (Ta)
Embalagem:Tape & Box (TB)
Caixa / Gabinete:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Outros nomes:BS170RLRMG-ND
BS170RLRMGOSTB
BS170RLRMGOSTR
BS170RLRMGOSTR-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:BS170RLRMG
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:60pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 60V 500mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET N-CH 60V 0.5A TO-92
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:500mA (Ta)
Email:[email protected]

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