BSB019N03LX G
BSB019N03LX G
Modelo do Produto:
BSB019N03LX G
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 174A 2WDSON
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12115 Pieces
Ficha de dados:
BSB019N03LX G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:MG-WDSON-2, CanPAK M™
Série:OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.9 mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.8W (Ta), 89W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:3-WDSON
Outros nomes:SP000597826
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):3 (168 Hours)
Número de peça do fabricante:BSB019N03LX G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:8400pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:92nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 32A (Ta), 174A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 174A 2WDSON
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:32A (Ta), 174A (Tc)
Email:[email protected]

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