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BSB028N06NN3 G
- Modelo do Produto:
- BSB028N06NN3 G
- Descrição:
- MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 13032 Pieces
- Ficha de dados:
- BSB028N06NN3 G.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para BSB028N06NN3 G, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para BSB028N06NN3 G por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 102µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Série: | OptiMOS™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 2.8 mOhm @ 30A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 2.2W (Ta), 78W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 3-WDSON |
| Outros nomes: | BSB028N06NN3 G-ND BSB028N06NN3G BSB028N06NN3GXUMA1 SP000605956 |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 10 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | BSB028N06NN3 G |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 12000pF @ 30V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 143nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 60V 22A (Ta), 90A (Tc) 2.2W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 60V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 22A (Ta), 90A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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