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BSC010NE2LSI
- Modelo do Produto:
- BSC010NE2LSI
- Descrição:
- MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 14147 Pieces
- Ficha de dados:
- BSC010NE2LSI.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para BSC010NE2LSI, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para BSC010NE2LSI por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | PG-TDSON-8 |
| Série: | OptiMOS™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 1.05 mOhm @ 30A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 2.5W (Ta), 96W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 8-PowerTDFN |
| Outros nomes: | BSC010NE2LSI-ND BSC010NE2LSIATMA1 SP000854376 |
| Temperatura de operação: | - |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 16 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | BSC010NE2LSI |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 4200pF @ 12V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 59nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 25V 38A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 4.5V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 25V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 38A (Ta), 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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