BSC0503NSIATMA1
BSC0503NSIATMA1
Modelo do Produto:
BSC0503NSIATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 22A TDSON-8
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16571 Pieces
Ficha de dados:
BSC0503NSIATMA1.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TDSON-8
Série:OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:3 mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.5W (Ta), 36W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerTDFN
Outros nomes:SP001288144
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:BSC0503NSIATMA1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1300pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 22A (Ta), 88A (Tc) 2.5W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 22A TDSON-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:22A (Ta), 88A (Tc)
Email:[email protected]

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