BSC105N10LSFGATMA1
BSC105N10LSFGATMA1
Modelo do Produto:
BSC105N10LSFGATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12559 Pieces
Ficha de dados:
BSC105N10LSFGATMA1.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.4V @ 110µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TDSON-8
Série:OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:10.5 mOhm @ 50A, 10V
Dissipação de energia (Max):156W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerTDFN
Outros nomes:BSC105N10LSF G
BSC105N10LSF G-ND
SP000388502
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:BSC105N10LSFGATMA1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3900pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:53nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 100V 11.4A (Ta), 90A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:11.4A (Ta), 90A (Tc)
Email:[email protected]

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