Comprar BSC159N10LSFGATMA1 com BYCHPS
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| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.4V @ 72µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | PG-TDSON-8 |
| Série: | OptiMOS™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 15.9 mOhm @ 50A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 114W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 8-PowerTDFN |
| Outros nomes: | BSC159N10LSF G BSC159N10LSF G-ND BSC159N10LSF GTR-ND BSC159N10LSFG SP000379614 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | BSC159N10LSFGATMA1 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2500pF @ 50V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 35nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 100V 9.4A (Ta), 63A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 100V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 9.4A (Ta), 63A (Tc) |
| Email: | [email protected] |