BSC882N03LSGATMA1
Modelo do Produto:
BSC882N03LSGATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH TDSON-8
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19615 Pieces
Ficha de dados:
BSC882N03LSGATMA1.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:4.2 mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max):69W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:-
Outros nomes:BSC882N03LSGATMA1-ND
BSC882N03LSGATMA1TR
SP000686916
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:BSC882N03LSGATMA1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3700pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:46nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 34V 100A 69W (Tc) Surface Mount
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):34V
Descrição:MOSFET N-CH TDSON-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:100A
Email:[email protected]

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