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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > BSO080P03S H
BSO080P03S H
BSO080P03S H
Modelo do Produto:
BSO080P03S H
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12858 Pieces
Ficha de dados:
BSO080P03S H.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:P-DSO-8
Série:OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:8 mOhm @ 14.9A, 10V
Dissipação de energia (Max):1.79W (Ta)
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:BSO080P03S HDKR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):3 (168 Hours)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:BSO080P03S H
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5890pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:136nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 30V 12.6A (Ta) 1.79W (Ta) Surface Mount P-DSO-8
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:12.6A (Ta)
Email:[email protected]

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